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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：PMDPB56XN,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3.1A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：73 毫歐 @ 3.1A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.9nC @ 4.5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：170pF @ 15V

功率-最大值：510mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-UDFN

PMDPB56XN,115，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：PMDPB56XN,115

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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