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我們?yōu)槿蚋鱾€(gè)行業(yè)提供NXP（恩智浦） PHKD13N03LT,118及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項(xiàng)工作并將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號(hào)：PHKD13N03LT,118

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：10.4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10.7nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：752pF @ 15V

功率 - 最大值：3.57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO

PHKD13N03LT,118，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：PHKD13N03LT,118

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管陣列

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