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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供NXP（恩智浦） PH5330E,115及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：PH5330E,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.7 毫歐 @ 15A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

PH5330E,115，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：PH5330E,115

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢PH5330E,115的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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